IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

संक्षिप्त वर्णन:

निर्माता: Infineon
उत्पाद श्रेणी: एमओएसएफईटी
डेटा शीट:IPD50N04S4-08
विवरण: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
RoHS स्थिति: RoHS अनुरूप


वास्तु की बारीकी

विशेषताएँ

उत्पाद टैग

♠ उत्पाद विवरण

उत्पाद विशेषता मान बताइए
निर्माता: Infineon
उत्पाद श्रेणी: MOSFET
तकनीकी: Si
बढ़ते शैली: एसएमडी / श्रीमती
पैकेज / मामला: TO-252-3
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: n- चैनल
चैनलों की संख्या: 1 चैनल
Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: 40 वी
आईडी - सतत नाली वर्तमान: 50 ए
आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस: 7.2 ओम
वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेज: - 20 वी, + 20 वी
वीजीएस वें - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड वोल्टेज: 2 वि
क्यूजी - गेट चार्ज: 22.4 एनसी
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: - 55 सी
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: + 175 सी
पीडी - पावर अपव्यय: 46 डब्ल्यू
चैनल मोड: वृद्धि
योग्यता: एईसी-Q101
व्यापरिक नाम: ऑप्टिमोस
पैकेजिंग: रील
पैकेजिंग: कट टेप
पैकेजिंग: माउस रील
ब्रैंड: इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज
विन्यास: अकेला
पतझड़ का समय: 6 एनएस
ऊंचाई: 2.3 मिमी
लंबाई: 6.5 मिमी
उत्पाद का प्रकार: MOSFET
वृद्धि समय: 7 एनएस
शृंखला: OptiMOS-T2
फैक्टरी पैक मात्रा: 2500
उपश्रेणी: MOSFETs
ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 एन-चैनल
विशिष्ट टर्न-ऑफ विलंब समय: 5 एनएस
विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय: 5 एनएस
चौड़ाई: 6.22 मिमी
भाग # उपनाम: IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1
इकाई का वज़न: 0.011640 ऑउंस

  • पहले का:
  • अगला:

  • • एन-चैनल - एन्हांसमेंट मोड
    • एईसी योग्य
    • MSL1 260°C पीक रिफ्लो तक
    • 175°C ऑपरेटिंग तापमान
    • हरित उत्पाद (RoHS अनुरूप)
    • 100% हिमस्खलन का परीक्षण किया गया

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