IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ उत्पाद विवरण
उत्पाद विशेषता | मान बताइए |
निर्माता: | Infineon |
उत्पाद श्रेणी: | MOSFET |
तकनीकी: | Si |
बढ़ते शैली: | एसएमडी / श्रीमती |
पैकेज / मामला: | TO-252-3 |
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: | n- चैनल |
चैनलों की संख्या: | 1 चैनल |
Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: | 40 वी |
आईडी - सतत नाली वर्तमान: | 50 ए |
आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस: | 7.2 ओम |
वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेज: | - 20 वी, + 20 वी |
वीजीएस वें - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड वोल्टेज: | 2 वि |
क्यूजी - गेट चार्ज: | 22.4 एनसी |
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: | - 55 सी |
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: | + 175 सी |
पीडी - पावर अपव्यय: | 46 डब्ल्यू |
चैनल मोड: | वृद्धि |
योग्यता: | एईसी-Q101 |
व्यापरिक नाम: | ऑप्टिमोस |
पैकेजिंग: | रील |
पैकेजिंग: | कट टेप |
पैकेजिंग: | माउस रील |
ब्रैंड: | इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज |
विन्यास: | अकेला |
पतझड़ का समय: | 6 एनएस |
ऊंचाई: | 2.3 मिमी |
लंबाई: | 6.5 मिमी |
उत्पाद का प्रकार: | MOSFET |
वृद्धि समय: | 7 एनएस |
शृंखला: | OptiMOS-T2 |
फैक्टरी पैक मात्रा: | 2500 |
उपश्रेणी: | MOSFETs |
ट्रांजिस्टर प्रकार: | 1 एन-चैनल |
विशिष्ट टर्न-ऑफ विलंब समय: | 5 एनएस |
विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय: | 5 एनएस |
चौड़ाई: | 6.22 मिमी |
भाग # उपनाम: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
इकाई का वज़न: | 0.011640 ऑउंस |
• एन-चैनल - एन्हांसमेंट मोड
• एईसी योग्य
• MSL1 260°C पीक रिफ्लो तक
• 175°C ऑपरेटिंग तापमान
• हरित उत्पाद (RoHS अनुरूप)
• 100% हिमस्खलन का परीक्षण किया गया