VNL5030JTR-E गेट ड्राइवर OMNIFET III ड्राइवर लो-साइड ESD VIPower

VNL5030J-E और VNL5030S5-E STMicroelectronics® VIPower® तकनीक का उपयोग करके बनाए गए मोनोलिथिक डिवाइस हैं, जिनका उद्देश्य बैटरी से जुड़े एक तरफ से प्रतिरोधक या प्रेरक भार को चलाना है। बिल्ट-इन थर्मल शटडाउन चिप को अधिक तापमान और शॉर्ट-सर्किट से बचाता है। आउटपुट करंट लिमिटेशन डिवाइस को ओवरलोड स्थिति में सुरक्षित रखता है। लंबे समय तक ओवरलोड होने की स्थिति में, डिवाइस थर्मल शटडाउन हस्तक्षेप तक विलुप्त होने वाली शक्ति को एक सुरक्षित स्तर तक सीमित कर देता है। स्वचालित रीस्टार्ट के साथ थर्मल शटडाउन, डिवाइस को फॉल्ट की स्थिति के गायब होते ही सामान्य संचालन को पुनः प्राप्त करने की अनुमति देता है। टर्न-ऑफ पर प्रेरक भार का तेज़ विचुंबकन प्राप्त होता है।