FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ उत्पाद विवरण
| एट्रिब्यूटो डेल प्रोडक्टो | विशेषता |
| निर्माणकर्ता: | Onsemi |
| उत्पाद श्रेणी: | MOSFET |
| आरओएचएस: | Detalles |
| प्रौद्योगिकी: | Si |
| एस्टिलो डी मोंटेजे: | एसएमडी / श्रीमती |
| पैक्वेट / क्यूबिएर्टा: | एसएसओटी-3 |
| पोलारिडैड डेल ट्रांजिस्टर: | पी-चैनल |
| न्यूमेरो डे कैनालेस: | 1 चैनल |
| वीडीएस - टेंशन डिसरप्टिव एंट्रे ड्रेनेज वाई फुएंते: | 30 वी |
| आईडी - कोरिएंट डे ड्रेनाजे कॉन्टिनुआ: | 2 ए |
| आरडीएस ऑन - रेसिस्टेंशिया एंट्रे ड्रेनेज वाई फुएंते: | 63 ओम |
| वीजीएस - तनाव के बीच तनाव: | - 20 वी, + 20 वी |
| वीजीएस वें - टेंशन अम्ब्रल एंट्रे पुएर्ता वाई फुएंते: | 3 वि |
| क्यूजी - कारगा डे पुएर्ता: | 9 एनसी |
| न्यूनतम तापमान तापमान: | - 55 सी |
| अधिकतम तापमान तापमान: | + 150 सी |
| डीपी - डिसिपेशन डे पोटेंशिया : | 500 मेगावाट |
| मोडो नहर: | वृद्धि |
| नोम्ब्रे कमर्शियल: | पॉवरट्रेंच |
| एम्पक्वेटाडो: | रील |
| एम्पक्वेटाडो: | कट टेप |
| एम्पक्वेटाडो: | माउस रील |
| मार्का: | ओनसेमी / फेयरचाइल्ड |
| कॉन्फ़िगरेशन: | अकेला |
| टिएम्पो डी कैडा: | 13 एनएस |
| ट्रांसकंडक्टेनसिया हैशिया डेलैंटे - न्यूनतम: | 5 एस |
| अल्तुरा: | 1.12 मिमी |
| देशांतर: | 2.9 मिमी |
| उत्पाद: | MOSFET छोटा सिग्नल |
| उत्पाद के प्रकार: | MOSFET |
| टिएम्पो डे सबिडा: | 13 एनएस |
| श्रृंखला: | FDN360P |
| कैंटिडाड डे इम्पाक डे फैब्रिक: | 3000 |
| उपश्रेणी: | MOSFETs |
| टिपो डी ट्रांजिस्टर: | 1 पी-चैनल |
| टिपो: | MOSFET |
| अपगैडो टिपिको की मंदबुद्धि अवधि: | 11 एनएस |
| टिपिको डे डेमोरा डे एन्केन्डिडो: | 6 एनएस |
| अंको: | 1.4 मिमी |
| एलियास डे लास पीजास n.º: | FDN360P_NL |
| पेसो डे ला यूनिडाड: | 0.001058 ऑउंस |
♠ सिंगल पी-चैनल, पॉवरट्रेंचÒ MOSFET
यह पी-चैनल लॉजिक लेवल एमओएसएफईटी सेमीकंडक्टर उन्नत पावर ट्रेंच प्रक्रिया का उपयोग करके उत्पादित किया जाता है जिसे विशेष रूप से ऑन-स्टेट प्रतिरोध को कम करने के लिए तैयार किया गया है और फिर भी बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन के लिए कम गेट चार्ज बनाए रखा गया है।
ये उपकरण कम वोल्टेज और बैटरी चालित अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं जहां कम इन-लाइन बिजली हानि और तेज स्विचिंग की आवश्यकता होती है।
· -2 A, -30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = -10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = -4.5 V
· कम गेट चार्ज (6.2 एनसी विशिष्ट) · बेहद कम आरडीएस (ओएन) के लिए उच्च प्रदर्शन ट्रेंच तकनीक।
· उद्योग मानक SOT-23 पैकेज का उच्च शक्ति संस्करण।30% अधिक पावर हैंडलिंग क्षमता के साथ SOT-23 के समान पिन-आउट।
· ये उपकरण Pb-मुक्त हैं और RoHS अनुरूप हैं
