IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ उत्पाद विवरण
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए |
| निर्माता: | Infineon |
| उत्पाद श्रेणी: | MOSFET |
| आरओएचएस: | विवरण |
| तकनीकी: | Si |
| बढ़ते शैली: | एसएमडी / श्रीमती |
| पैकेज/मामला: | TO-252-3 |
| ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: | n- चैनल |
| चैनलों की संख्या: | 1 चैनल |
| Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: | 40 वी |
| आईडी - सतत नाली वर्तमान: | 50 ए |
| आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस: | 9.3 ओम |
| वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेज: | - 20 वी, + 20 वी |
| वीजीएस वें - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड वोल्टेज: | 3 वि |
| क्यूजी - गेट चार्ज: | 18.2 एनसी |
| न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: | - 55 सी |
| अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: | + 175 सी |
| पीडी - पावर अपव्यय: | 41 डब्ल्यू |
| चैनल मोड: | वृद्धि |
| योग्यता: | एईसी-Q101 |
| व्यापरिक नाम: | ऑप्टिमोस |
| पैकेजिंग: | रील |
| पैकेजिंग: | कट टेप |
| ब्रैंड: | इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज |
| विन्यास: | अकेला |
| पतझड़ का समय: | 5 एनएस |
| ऊंचाई: | 2.3 मिमी |
| लंबाई: | 6.5 मिमी |
| उत्पाद का प्रकार: | MOSFET |
| वृद्धि समय: | 7 एनएस |
| शृंखला: | OptiMOS-T2 |
| फैक्टरी पैक मात्रा: | 2500 |
| उपश्रेणी: | MOSFETs |
| ट्रांजिस्टर प्रकार: | 1 एन-चैनल |
| विशिष्ट टर्न-ऑफ विलंब समय: | 4 एनएस |
| विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय: | 5 एनएस |
| चौड़ाई: | 6.22 मिमी |
| भाग # उपनाम: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| इकाई का वज़न: | 330 मिलीग्राम |
• एन-चैनल - एन्हांसमेंट मोड
• एईसी योग्य
• MSL1 260°C पीक रिफ्लो तक
• 175°C ऑपरेटिंग तापमान
• हरित उत्पाद (RoHS अनुरूप)
• 100% हिमस्खलन का परीक्षण किया गया
