IPD90N06S4-04 MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ उत्पाद विवरण
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए |
| निर्माता: | Infineon |
| उत्पाद श्रेणी: | MOSFET |
| आरओएचएस: | विवरण |
| तकनीकी: | Si |
| बढ़ते शैली: | एसएमडी / श्रीमती |
| पैकेज / मामला: | TO-252-3 |
| ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: | n- चैनल |
| चैनलों की संख्या: | 1 चैनल |
| Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: | 60 वी |
| आईडी - सतत नाली वर्तमान: | 90 ए |
| आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस: | 3.8 ओम |
| व्यापरिक नाम: | ऑप्टिमोस |
| पैकेजिंग: | रील |
| पैकेजिंग: | कट टेप |
| पैकेजिंग: | माउस रील |
| ब्रैंड: | इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज |
| विन्यास: | अकेला |
| ऊंचाई: | 2.3 मिमी |
| लंबाई: | 6.5 मिमी |
| उत्पाद का प्रकार: | MOSFET |
| शृंखला: | OptiMOS-T2 |
| फैक्टरी पैक मात्रा: | 2500 |
| उपश्रेणी: | MOSFETs |
| ट्रांजिस्टर प्रकार: | 1 एन-चैनल |
| चौड़ाई: | 6.22 मिमी |
| भाग # उपनाम: | SP000374323 IPD9N6S44XT IPD90N06S404ATMA1 |
| इकाई का वज़न: | 0.011640 ऑउंस |
• एन-चैनल - एन्हांसमेंट मोड
• एईसी योग्य
• MSL1 260°C पीक रिफ्लो तक
• 175°C ऑपरेटिंग तापमान
• हरित उत्पाद (RoHS अनुरूप)
• 100% हिमस्खलन का परीक्षण किया गया
