SI9435BDY-T1-E3 MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm

संक्षिप्त वर्णन:

निर्माता: Vishay
उत्पाद श्रेणी: एमओएसएफईटी
डेटा शीट: SI9435BDY-T1-E3
विवरण: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
RoHS स्थिति: RoHS अनुरूप


वास्तु की बारीकी

विशेषताएँ

उत्पाद टैग

♠ उत्पाद विवरण

उत्पाद विशेषता मान बताइए
निर्माता: विषय
उत्पाद श्रेणी: MOSFET
आरओएचएस: विवरण
तकनीकी: Si
बढ़ते शैली: एसएमडी / श्रीमती
पैकेज/मामला: एसओआईसी-8
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: पी-चैनल
चैनलों की संख्या: 1 चैनल
Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: 30 वी
आईडी - सतत नाली वर्तमान: 5.7 ए
आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस: 42 ओम
वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेज: - 10 वी, + 10 वी
वीजीएस वें - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड वोल्टेज: 1 वि
क्यूजी - गेट चार्ज: 24 एनसी
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: - 55 सी
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: + 150 सी
पीडी - पावर अपव्यय: 2.5 डब्ल्यू
चैनल मोड: वृद्धि
व्यापरिक नाम: ट्रेंचफेट
पैकेजिंग: रील
पैकेजिंग: कट टेप
पैकेजिंग: माउस रील
ब्रैंड: Vishay सेमीकंडक्टर
विन्यास: अकेला
पतझड़ का समय: 30 एनएस
फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन - न्यूनतम: 13 एस
उत्पाद का प्रकार: MOSFET
वृद्धि समय: 42 एनएस
शृंखला: SI9
फैक्टरी पैक मात्रा: 2500
उपश्रेणी: MOSFETs
ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 पी-चैनल
विशिष्ट टर्न-ऑफ विलंब समय: 30 एनएस
विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय: 14 एनएस
भाग # उपनाम: SI9435BDY-E3
इकाई का वज़न: 750 मिलीग्राम

  • पहले का:
  • अगला:

  • आईईसी 61249-2-21 परिभाषा के अनुसार हलोजन मुक्त

    • ट्रेंचफेट® पावर एमओएसएफईटी

    • RoHS निर्देश 2002/95/EC के अनुरूप

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