VNB35NV04TR-E पॉवर स्विच ICs - पॉवर डिस्ट्रीब्यूशन N-Ch 70V 35A OmniFET
♠ उत्पाद विवरण
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए |
| निर्माता: | STMicroelectronics |
| उत्पाद श्रेणी: | पावर स्विच आईसी - बिजली वितरण |
| प्रकार: | निम्न पक्ष |
| आउटपुट की संख्या: | 1 आउटपुट |
| वर्तमान सीमा: | 30 ए |
| प्रतिरोध पर - अधिकतम: | 13 ओम |
| समय पर - अधिकतम: | 500 एनएस |
| ऑफ टाइम - मैक्स: | 3 हमें |
| ऑपरेटिंग आपूर्ति वोल्टेज: | 24 वी |
| न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: | - 40 सी |
| अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: | + 150 सी |
| बढ़ते शैली: | एसएमडी / श्रीमती |
| पैकेज / मामला: | D2PAK-2 |
| शृंखला: | VNB35NV04-ई |
| योग्यता: | एईसी-Q100 |
| पैकेजिंग: | रील |
| पैकेजिंग: | कट टेप |
| पैकेजिंग: | माउस रील |
| ब्रैंड: | STMicroelectronics |
| नमी संवेदनशील: | हाँ |
| पीडी - पावर अपव्यय: | 125 डब्ल्यू |
| उत्पाद: | लोड स्विच |
| उत्पाद का प्रकार: | पावर स्विच आईसी - बिजली वितरण |
| फैक्टरी पैक मात्रा: | 1000 |
| उपश्रेणी: | आईसी स्विच करें |
| इकाई का वज़न: | 0.066315 औंस |
♠ OMNIFET II: पूरी तरह से ऑटोप्रोटेक्टेड पावर MOSFET
VNB35NV04-E, VNP35NV04-E और VNV35NV04-E STMicroelectronics® VIPower® M0-3 टेक्नोलॉजी में डिज़ाइन किए गए मोनोलिथिक डिवाइस हैं, जिनका उद्देश्य DC से 25 kHz तक के मानक पावर MOSFETs को बदलना है।
बिल्ट-इन थर्मल शटडाउन, रैखिक वर्तमान सीमा और ओवरवॉल्टेज क्लैंप कठोर वातावरण में चिप की रक्षा करते हैं।इनपुट पिन पर वोल्टेज की निगरानी करके दोष प्रतिक्रिया का पता लगाया जा सकता है।
• रैखिक वर्तमान सीमा
• थर्मल शटडाउन
• शॉर्ट सर्किट सुरक्षा
• एकीकृत दबाना
• इनपुट पिन से लो करंट निकाला गया
• इनपुट पिन के माध्यम से नैदानिक प्रतिक्रिया
• ईएसडी सुरक्षा
• पावर MOSFET (एनालॉग ड्राइविंग) के गेट तक सीधी पहुंच
• मानक पावर MOSFET के साथ संगत
![LTM4644IY स्विचिंग वोल्टेज रेगुलेटर [टिन-लीड SnPb BGA] क्वाड 14VIN, 4A स्टेप-डाउन uModule रेगुलेटर कॉन्फिगरेबल आउटपुट ऐरे के साथ](http://cdn.globalso.com/shinzoic/1672199144580-300x300.jpg)