VND5050JTR-E पावर स्विच आईसी - पावर डिस्ट्रीब्यूशन डबल चैनल हाई साइड ड्राइवर ऑटो
♠ उत्पाद विवरण
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए |
| निर्माता: | एसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स |
| उत्पाद श्रेणी: | पावर स्विच आईसी - पावर वितरण |
| आरओएचएस: | विवरण |
| प्रकार: | उच्च पक्ष |
| आउटपुट की संख्या: | 2 आउटपुट |
| आउटपुट करेंट: | 18 ए |
| वर्तमान सीमा: | 18 ए |
| प्रतिरोध पर - अधिकतम: | 50 एमओहम्स |
| समय पर - अधिकतम: | 20 यूएस |
| बंद समय - अधिकतम: | 40 यूएस |
| परिचालन आपूर्ति वोल्टेज: | 4.5 वी से 36 वी |
| न्यूनतम प्रचालन तापमान: | - 40 सी |
| अधिकतम प्रचालन तापमान: | + 150 सी |
| माउंटिंग शैली: | एसएमडी/एसएमटी |
| पैकेज/केस: | पावरएसएसओ-12 |
| शृंखला: | वीएनडी5050जे-ई |
| योग्यता: | एईसी-Q100 |
| पैकेजिंग: | रील |
| पैकेजिंग: | टेप काटें |
| पैकेजिंग: | माउसरील |
| ब्रांड: | एसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स |
| नमी संवेदनशील: | हाँ |
| उत्पाद: | लोड स्विच |
| उत्पाद का प्रकार: | पावर स्विच आईसी - पावर वितरण |
| फैक्टरी पैक मात्रा: | 2500 |
| उपश्रेणी: | स्विच आईसी |
| आपूर्ति वोल्टेज - अधिकतम: | 36 वी |
| आपूर्ति वोल्टेज - न्यूनतम: | 4.5 वी |
| इकाई का वज़न: | 0.005291 औंस |
♠ ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए डबल चैनल हाई साइड ड्राइवर
VND5050K-E और VND5050J-E STMicroelectronics VIPower M0-5 तकनीक का उपयोग करके बनाए गए मोनोलिथिक उपकरण हैं। वे प्रतिरोधक या प्रेरक भार को चलाने के लिए अभिप्रेत हैं, जिनका एक पक्ष जमीन से जुड़ा होता है। सक्रिय VCC पिन वोल्टेज क्लैंप कम ऊर्जा स्पाइक्स के विरुद्ध उपकरणों की सुरक्षा करता है (ISO7637 क्षणिक संगतता तालिका देखें)। जब STAT_DIS को खुला छोड़ दिया जाता है या कम चलाया जाता है, तो उपकरण ऑन और ऑफ-स्टेट दोनों में ओपन लोड स्थिति का पता लगाते हैं। VCC से शॉर्ट किए गए आउटपुट का पता ऑफ-स्टेट में लगाया जाता है।
जब STAT_DIS को उच्च पर चलाया जाता है, तो STATUS पिन उच्च प्रतिबाधा अवस्था में होती है।
आउटपुट करंट लिमिटेशन डिवाइस को ओवरलोड की स्थिति में सुरक्षित रखता है। लंबे समय तक ओवरलोड रहने की स्थिति में, डिवाइस थर्मल शटडाउन हस्तक्षेप तक बिजली की खपत को सुरक्षित स्तर तक सीमित कर देते हैं। स्वचालित रीस्टार्ट के साथ थर्मल शटडाउन डिवाइस को फॉल्ट की स्थिति खत्म होते ही सामान्य संचालन को पुनः प्राप्त करने की अनुमति देता है।
■ मुख्य
- पावर सीमा द्वारा इनरश करंट सक्रिय प्रबंधन
– बहुत कम स्टैंडबाय करंट
– 3.0 V CMOS संगत इनपुट
– अनुकूलित विद्युत चुम्बकीय उत्सर्जन
– बहुत कम विद्युत चुम्बकीय संवेदनशीलता
– 2002/95/EC यूरोपीय निर्देश के अनुपालन में
■ नैदानिक कार्य
– खुली नाली की स्थिति का आउटपुट
– ऑन-स्टेट ओपन लोड डिटेक्शन
– ऑफ-स्टेट ओपन लोड डिटेक्शन
– थर्मल शटडाउन संकेत
■ सुरक्षा
– अंडर वोल्टेज शटडाउन
– ओवरवोल्टेज क्लैंप
- आउटपुट VCC डिटेक्शन पर अटका हुआ है
– लोड करंट सीमा
– तीव्र तापीय क्षणिकों का स्व-सीमितीकरण
– जमीन के नुकसान और वीसीसी के नुकसान के खिलाफ सुरक्षा
– थर्मल शटडाउन
– रिवर्स बैटरी सुरक्षा
– इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज सुरक्षा
■ सभी प्रकार के प्रतिरोधक, प्रेरणिक और धारिता भार
