VNS1NV04DPTR-E गेट ड्राइवर्स OMNIFET पावर MOSFET 40V 1.7 A
♠ उत्पाद विवरण
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए |
| निर्माता: | STMicroelectronics |
| उत्पाद श्रेणी: | गेट चालक |
| उत्पाद: | MOSFET गेट ड्राइवर्स |
| प्रकार: | निम्न पक्ष |
| बढ़ते शैली: | एसएमडी / श्रीमती |
| पैकेज / मामला: | एसओआईसी-8 |
| ड्राइवरों की संख्या: | 2 ड्राइवर |
| आउटपुट की संख्या: | 2 आउटपुट |
| आउटपुट करेंट: | 1.7 ए |
| आपूर्ति वोल्टेज - अधिकतम: | 24 वी |
| वृद्धि समय: | 500 एनएस |
| पतझड़ का समय: | 600 एनएस |
| न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: | - 40 सी |
| अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: | + 150 सी |
| शृंखला: | VNS1NV04DP-ई |
| योग्यता: | एईसी-Q100 |
| पैकेजिंग: | रील |
| पैकेजिंग: | कट टेप |
| पैकेजिंग: | माउस रील |
| ब्रैंड: | STMicroelectronics |
| नमी संवेदनशील: | हाँ |
| ऑपरेटिंग आपूर्ति वर्तमान: | 150 यूए |
| उत्पाद का प्रकार: | गेट चालक |
| फैक्टरी पैक मात्रा: | 2500 |
| उपश्रेणी: | पीएमआईसी - पावर मैनेजमेंट आईसी |
| तकनीकी: | Si |
| इकाई का वज़न: | 0.005291 औंस |
♠ OMNIFET II पूरी तरह से स्वत: संरक्षित पावर MOSFET
VNS1NV04DP-E मानक SO-8 पैकेज में रखे गए दो मोनोलिथिक OMNIFET II चिप्स द्वारा निर्मित एक उपकरण है।OMNIFET II को STMicroelectronics VIPower™ M0-3 तकनीक में डिज़ाइन किया गया है: वे DC से 50KHz तक के मानक पावर MOSFETs के प्रतिस्थापन के लिए अभिप्रेत हैं।थर्मल शटडाउन में निर्मित, रैखिक वर्तमान सीमा और ओवरवॉल्टेज क्लैंप कठोर वातावरण में चिप की सुरक्षा करता है।
इनपुट पिन पर वोल्टेज की निगरानी करके दोष प्रतिक्रिया का पता लगाया जा सकता है।
• रैखिक वर्तमान सीमा
• थर्मल शटडाउन
• शॉर्ट सर्किट सुरक्षा
• एकीकृत दबाना
• इनपुट पिन से लो करंट निकाला गया
• इनपुट पिन के माध्यम से नैदानिक प्रतिक्रिया
• ईएसडी सुरक्षा
• बिजली मस्जिद के गेट तक सीधी पहुंच (एनालॉग ड्राइविंग)
• मानक शक्ति mosfet के साथ संगत
• 2002/95/EC यूरोपीय निर्देश के अनुपालन में
