FQU2N60CTU MOSFET 600V एन-चैनल विज्ञापन Q-FET C-सीरीज़
♠ उत्पाद विवरण
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए |
| निर्माता: | Onsemi |
| उत्पाद श्रेणी: | MOSFET |
| तकनीकी: | Si |
| बढ़ते शैली: | छेद के माध्यम से |
| पैकेज / मामला: | TO-251-3 |
| ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: | n- चैनल |
| चैनलों की संख्या: | 1 चैनल |
| Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: | 600 वी |
| आईडी - सतत नाली वर्तमान: | 1.9 ए |
| आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस: | 4.7 ओम |
| वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेज: | - 30 वी, + 30 वी |
| वीजीएस वें - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड वोल्टेज: | 2 वि |
| क्यूजी - गेट चार्ज: | 12 एनसी |
| न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: | - 55 सी |
| अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: | + 150 सी |
| पीडी - पावर अपव्यय: | 2.5 डब्ल्यू |
| चैनल मोड: | वृद्धि |
| पैकेजिंग: | नली |
| ब्रैंड: | ओनसेमी / फेयरचाइल्ड |
| विन्यास: | अकेला |
| पतझड़ का समय: | 28 एनएस |
| फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन - न्यूनतम: | 5 एस |
| ऊंचाई: | 6.3 मिमी |
| लंबाई: | 6.8 मिमी |
| उत्पाद का प्रकार: | MOSFET |
| वृद्धि समय: | 25 एनएस |
| शृंखला: | FQU2N60C |
| फैक्टरी पैक मात्रा: | 5040 |
| उपश्रेणी: | MOSFETs |
| ट्रांजिस्टर प्रकार: | 1 एन-चैनल |
| प्रकार: | MOSFET |
| विशिष्ट टर्न-ऑफ विलंब समय: | 24 एनएस |
| विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय: | 9 एनएस |
| चौड़ाई: | 2.5 मिमी |
| इकाई का वज़न: | 0.011993 ऑउंस |
♠ MOSFET - N-चैनल, QFET 600 V, 1.9 A, 4,7
यह एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर एमओएसएफईटी ऑनसेमी के मालिकाना प्लानर स्ट्राइप और डीएमओएस तकनीक का उपयोग करके तैयार किया गया है।इस उन्नत एमओएसएफईटी प्रौद्योगिकी को विशेष रूप से राज्य प्रतिरोध को कम करने और बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन और उच्च हिमस्खलन ऊर्जा शक्ति प्रदान करने के लिए तैयार किया गया है।ये डिवाइस स्विच्ड मोड पावर सप्लाई, एक्टिव पावर फैक्टर करेक्शन (PFC) और इलेक्ट्रॉनिक लैंप रोड़े के लिए उपयुक्त हैं।
• 1.9 ए, 600 वी, आरडीएस (ऑन) = 4.7 (अधिकतम) @ वीजीएस = 10 वी, आईडी = 0.95 ए
• लो गेट चार्ज (टाइप 8.5 एनसी)
• लो सीआरएस (टाइप. 4.3 पीएफ)
• 100% हिमस्खलन का परीक्षण किया गया
• ये उपकरण हैलिड मुक्त हैं और RoHS अनुरूप हैं
